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H. L. M. Chang, H. You, J. Guo, Appl. Surface Science . 1991
ATLEED研究6H-SiC（0001）(30.5×30.5)R30°重构表面
被引：3
作者：
邓丙成
陈滢
徐耕
陈文华
何永健
谢茂海
唐叔贤
机构：
[1] 华南建设学院西院基础部!广州
[2] 中山大学物理系!广州
[3] 香港大学物理系!香港
来源：
关键词：
6H-SiC(0001);
表面重构;
表面终止状态;
LEED;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304 [材料];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
低能电子衍射 (LEED)对 6H SiC(0 0 0 1) (3× 3)R30°表面的研究结果表明 ,该表面有 1/3单层的Si原子吸附在T4 空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接 ,它们之间的垂直距离为 0 171nm .通过对该表面 10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射 (ATLEED)计算 ,得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态 (surfacetermination)的混合比例为S1∶S2∶S3 =15∶15∶70 ,理论计算与实验I V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0 .16 5 ,RP=0 .142 ,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制
引用
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页数：5
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