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功率 MOSFET 开关电路的吸收回路实验研究
被引:5
作者
:
曹建章
论文数:
0
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0
机构:
西安交通大学
曹建章
宋建平
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机构:
西安交通大学
宋建平
唐天同
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机构:
西安交通大学
唐天同
机构
:
[1]
西安交通大学
来源
:
电力电子技术
|
1997年
/ 04期
关键词
:
实验/金属-氧化物-半导体场效应晶体管,开关电路,吸收回路;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN32 [半导体三极管(晶体管)];
学科分类号
:
摘要
:
介绍由MOSFET管构成的全桥开关电路在感性负载下大电流工作时两种吸收回路的实验研究结果。
引用
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页码:58 / 60
页数:3
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[1]
绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其应用
吴雄
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吴雄
[J].
电子与自动化,
1994,
(02)
: 26
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[2]
VMOS功率场效应晶体管及其应用[M]. 人民邮电出版社 , 李中江编著, 1988
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