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永磁饱和型故障限流器的高压大容量化分析
被引：8
作者：
邹亮
[1
]
李庆民
[1
]
刘洪顺
[1
]
WHSiew
[2
]
机构：
[1] 山东大学电气工程学院
[2] Strathclyde大学电子与电气工程学院
来源：
关键词：
永磁饱和型故障限流器;
稳定性;
饱和深度比;
高压大容量;
有限元法;
仿真;
实验;
D O I：
10.13336/j.1003-6520.hve.2009.10.025
中图分类号：
TM56 [开关电器、断路器];
学科分类号：
080801 ;
摘要：
为提高永磁体的偏置能力以利永磁饱和型故障限流器朝高压大容量发展,从温度和外磁场两方面分析了钕铁硼永磁体的稳定性问题,论证了其应用到该限流器的可行性;提出"饱和深度比"的定义,指出改善永磁体的偏置能力与提高铁心的饱和深度比等价;基于一种结构参数可调的永磁饱和型故障限流器拓扑,分析了限流器结构参数与铁心饱和深度比的数量关系,并通过有限元法仿真以及实验加以验证;最后给出了10kV等级永磁饱和型故障限流器的一个设计实例。仿真与实验结果均表明,增加永磁体的厚度与截面积可获得较优的偏置能力,实现永磁饱和型故障限流器的高压大容量化在技术上是可行的。
引用
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页码：2568 / 2574
页数：7
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