化学机械抛光中抛光垫的研究

被引：20

作者：

魏昕

熊伟

黄蕊慰

袁慧

机构：

[1] 广东工业大学机电工程学院

[2] 广东工业大学机电工程学院广州

[3] 广州

来源：

金刚石与磨料磨具工程 | 2004年 / 05期

基金：

广东省自然科学基金;

关键词：

化学机械抛光; 抛光垫; 聚氨酯; 修整;

D O I：

10.13394/j.cnki.jgszz.2004.05.011

中图分类号：

TG580.613 [];

学科分类号：

080201 ; 080503 ;

摘要：

抛光垫是化学机械抛光 (CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液 ,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。本文介绍CMP过程常用的抛光垫材料种类、材料性能、表面结构 ,总结了抛光垫的性能对CMP过程影响规律 ,认为 :抛光垫的剪切模量或增大抛光垫的可压缩性 ,CMP过程材料去除率增大 ;采用表面合理开槽的抛光垫 ,可提高材料去除率 ,降低晶片表面的不均匀性 ;抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率。对抛光垫进行适当的修整可以增加抛光垫表面粗糙度、使材料去除率趋于一致。与离线修整相比较 ,在线修整时修整效果比较好

引用

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