车载IGBT器件封装装片工艺中空洞的失效研究

被引：36

作者：

施建根 ^{[1
,2
]}

孙伟锋 ^{[1
]}

景伟平 ^{[3
]}

孙海燕 ^{[3
]}

高国华 ^{[2
]}

机构：

[1] 东南大学

[2] 南通富士通微电子股份有限公司

[3] 南通大学

来源：

电子与封装 | 2010年 / 02期

关键词：

IGBT; 装片; 空洞; 热阻; 失效研究;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

IGBT芯片在TO-220封装装片时容易形成空洞,焊料层中空洞大小直接影响车载IGBT器件的热阻与散热性能,而这些性能的好坏将直接影响器件的可靠性。文章分析了IGBT器件在TO-220封装装片时所产生的空洞的形成机制,并就IGBT器件TO-220封装模型利用FEA方法建立其热学模型,模拟结果表明:在装片焊料层中空洞含量增加时,热阻会急剧增大而降低IGBT器件的散热性能,IGBT器件温度在单个空洞体积为10%时比没有空洞时高出28.6℃。同时借助工程样品失效分析结果,研究TO-220封装的IGBT器件在经过功率循环后空洞对于IGBT器件性能的影响,最后确立空洞体积单个小于2%,总数小于5%的装片工艺标准。

引用

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