掺镁铌酸锂晶体抗光折变微观机理研究

被引：13

作者：

孔勇发

李兵

陈云琳

黄自恒

陈绍林

张玲

刘士国

许京军

阎文博

刘宏德

王岩

谢翔

张万林

张光寅

机构：

[1] 南开大学光电材料研发中心

[2] 南开大学光子学中心

[3] 南开大学光子学中心天津

[4] 天津

来源：

红外与毫米波学报 | 2003年 / 01期

关键词：

掺镁铌酸锂晶体; 抗光折变; 微观机理; 吸收光谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

O734 [晶体的光学性质];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

研究了掺镁掺铁铌酸锂晶体的紫外、可见及红外光谱 ,首次发现当掺镁量超过通常所说的阈值 (第一阀值 )时 ,Fe3+ 离子和部分Fe2 + 离子的晶格占位由锂位变为铌位 ,但仍有部分Fe2 + 离子留在锂位 .晶体缺陷化学分析表明 ,继续增加掺镁量 ,占锂位的Fe2 + 离子数将逐渐减少 ;当掺镁量达到另一个适当的值 (第二阀值 )时 ,全部Fe2 + 都占铌位 ,晶体的抗光折变能力空前提高 ,这种现象称作双阈值效应 .

引用

页码：40 / 44

页数：5

共 11 条

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