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功率MOSFET驱动保护电路设计与应用
被引:59
作者
:
田颖
论文数:
0
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0
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0
机构:
清华大学
田颖
陈培红
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机构:
清华大学
陈培红
聂圣芳
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机构:
清华大学
聂圣芳
卢青春
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机构:
清华大学
卢青春
机构
:
[1]
清华大学
[2]
清华大学 北京
[3]
北京
来源
:
电力电子技术
|
2005年
/ 01期
关键词
:
模块;
驱动电路/功率金属氧化物场效应晶体管;
保护电路;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN386 [场效应器件];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。
引用
收藏
页码:73 / 74+80 +80
页数:3
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[1]
MOSFET 开关的驱动
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郑洁
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郑洁
;
串禾
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.
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