功率MOSFET驱动保护电路设计与应用

被引:59
作者
田颖
陈培红
聂圣芳
卢青春
机构
[1] 清华大学
[2] 清华大学 北京
[3] 北京
关键词
模块; 驱动电路/功率金属氧化物场效应晶体管; 保护电路;
D O I
暂无
中图分类号
TN386 [场效应器件];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。
引用
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页码:73 / 74+80 +80
页数:3
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