基于电路拓扑的IGBT并联均流方法

被引：20

作者：

张成 ^{[1
]}

孙驰 ^{[2
]}

马伟明 ^{[2
]}

艾胜 ^{[2
]}

机构：

[1] 华中科技大学电气与电子工程学院

[2] 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室

来源：

高电压技术 | 2013年 / 39卷 / 02期

关键词：

绝缘栅双极晶体管(IGBT); 并联均流; 动态均流; 静态均流; 电路拓扑; 试验验证;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM46 [变流器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

随着市场对大功率电力电子变流器需求的与日俱增,绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar tran-sistors,IGBT)的并联技术已成为大功率设计应用的解决方案之一。针对现有的一些解决IGBT并联均流措施存在的问题,在详细分析外加电感对动静态均流影响的基础上,提出了一种基于电路拓扑的两电平电路中的IGBT并联均流方法,该方法需要添加1个额外的直流侧二极管和2个μH级的电感,降低了开关的开通损耗,不需要设置死区,且短路保护实现容易。同时,针对该方法带来的IGBT关断过电压第2尖峰抬高的问题,提出了一种改进的电路拓扑结构,利用额外的电容-二极管-电容(CDC)网络来解决IGBT关断过电压的第2尖峰抬高的问题。试验结果表明了该种方法的正确性、有效性和可行性,为大功率电力电子变流器的扩容提供了较理想的选择方案。

引用

页码：505 / 512

页数：8

共 12 条

[1] 复合型级联多电平双buck式逆变器 [J].