低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究

被引：2

作者：

王华

于军

王耘波

周文利

谢基凡

朱丽丽

机构：

[1] 华中理工大学电子科学与技术系

[2] 华中理工大学电子科学与技术系湖北武汉

来源：

功能材料 | 2001年 / 03期

关键词：

PZT; 铁电薄膜; PLD; 制备工艺;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

采用脉冲激光沉积技术（ＰＬＤ）在（１００）ｐ－Ｓｉ衬底上，低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶ＰＺＴ铁电薄膜。所制备的ＰＺＴ铁电薄膜致密、均匀，表现出良好的介电和铁电性能．其介电常数和介电损耗１００ｋＨＺ下分别为３２０和０．０８，剩余极化Ｐｔ和矫顽场Ｅｃ分别为１４μＣ／ｃｍ２和５８ｋＶ／ｃｍ．＋５Ｖ电压下漏电流密度低于１０－７Ａ／ｃｍ２。１０７次极化反转后剩余极化仅下降１０％，具有较好的疲劳特性。

引用

页码：250 / 251+253 +253

页数：3