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多晶硅加热法评价金属互连线电迁移寿命
被引：4
作者：
赵毅
曹刚
徐向明
机构：
[1] 上海华虹NEC电子有限公司逻辑技术开发部,上海华虹NEC电子有限公司品管部,上海华虹NEC电子有限公司逻辑技术开发部上海东京大学材料系,东京,-,日本,上海,上海
来源：
关键词：
金属互连线;
电迁移;
多晶硅;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN405 [制造工艺];
学科分类号：
080903 ;
1401 ;
摘要：
采用一种新颖的方法——多晶硅加热法评价了金属连线的电迁移(EM)寿命.用该方法得到的结果与传统封装测试法得到的结果进行了对比,两者有相当好的一致性.同时,测试时间不到封装测试的1‰.说明多晶硅加热法是一种非常有效的EM评价方法.由于该方法是晶片级测试,而且测试时间非常短,所以采用这种方法可以实现对金属互连线质量的在线实时监控.
引用
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页码：1653 / 1655
页数：3
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