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钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理
被引：7
作者：
李标荣
陈万平
机构：
[1] 东莞南方电子有限公司
[2] 日本仙台东北大学金属材料研究所
来源：
关键词：
PTC陶瓷,晶界势垒,化学镀镍;
D O I：
10.14106/j.cnki.1001-2028.1999.03.001
中图分类号：
TQ153.12 [];
学科分类号：
0817 ;
摘要：
化学镀镍过程对ＰＴＣＲ及ＭＬＣＣ等元件的电性能，往往会产生负面效应，其中氢离子引起的还原作用不可忽视，其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。
引用
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页数：4
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