SiC对MoSi低温氧化行为的影响

被引：4

作者：

张厚安

李颂文

彭成章

梁洁萍

唐果宁

机构：

[1] 湘潭工学院机械系

[2] 湘潭工学院机械系湘潭

[3] 湘潭

来源：

材料导报 | 1999年 / 03期

关键词：

MoSi2; 氧化; SiC;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB39 [其他材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

利用热重量分析法（简称TGA法）、X射线衍射（X-Ray diffraction）和扫描电镜观察（SEM）分析了SiC在MoSi2低温氧化中的作用。结果表明SiC的加入促进了MoSi2的氧化,但未发现“PEST”现象。

引用

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