玉米根系电容双向选择研究

被引：3

作者：

张凤路

S.N.Mugo

机构：

[1] 河北农业大学农学院,国际玉米小麦改良中心河北保定,墨西哥

来源：

作物学报 | 2002年 / 04期

关键词：

玉米; 根系电容; 双向选择; 干旱; 氮胁迫;

D O I：

暂无

中图分类号：

S513.01 [];

学科分类号：

0901 ;

摘要：

采用 Pool16以及按 2 0 %的录选比例 ,用全姊妹交轮回选择方法对群体根系电容进行双向选择筛选出的 4个世代的种子 ,分别在干旱、氮胁迫和正常环境下进行了评定。在高根系电容 (壮根 )选择中 ,根系电容按 1.2 9n F·代 - 1增加 ;而在低根系电容 (弱根 )选择中 ,根系电容以 0 .99n F·代 - 1降低。两种选择在胁迫条件下籽粒产量都增加 ,但在正常条件下 ,壮根的产量增加而弱根的则降低。在各条件下 ,地上部干物重壮根的以 0 .35 t/hm2·代 - 1的幅度增加 ,而弱根的以 0 .2 5 t/hm2·代 - 1的幅度降低。雌雄穗开花间隔 (ASI)在两种选择中均降低。在壮根中叶片衰老指数降低更多。因此 ,对根系电容的高低的选择 ,可能会影响到胁迫条件下植株的特征。

引用

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