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离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模
被引：10
作者：
王勇刚
马骁宇
付圣贵
范万德
李强
袁树忠
董孝义
宋晏蓉
张志刚
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所
[2] 南开大学现代光学研究所
[3] 北京工业大学应用数理学院
[4] 北京工业大学应用数理学院 北京
[5] 北京
[6] 天津
来源：
关键词：
离子注入GaAs;
掺镱光纤激光器;
被动调Q锁模;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN248 [激光器];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜 ,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模 .离子注入的能量为 4 0 0keV的As+ 离子 ,注入剂量为 1 0 1 6 cm2 ,然后在 6 0 0℃下退火 2 0min .当抽运功率为 5W时 ,脉冲平均输出功率为 2 0 0mW ,调Q包络重复频率为 5 0kHz ,半高宽为 4 μs,锁模脉冲重复频率为 1 5MHz .
引用
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页码：1810 / 1814
页数：5
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