ZnO及其缺陷的电子结构

被引：69

作者：

徐彭寿

孙玉明

施朝淑

徐法强

潘海斌

机构：

[1] 中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥

[2] 中国科学技术大学物理系!合肥

来源：

中国科学(A辑) | 2001年 / 04期

关键词：

ZnO; 缺陷; 电子结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

利用全势线性Muffin_tin轨道（FPLMTO）理论方法 ,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构 .计算的结果表明 ,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用 .O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽 ,带隙变小 .Zn空位和O填隙分别在价带顶 0 .3和 0 .4eV处产生浅受主能级 .而Zn填隙在导带底 0 .5eV处产生浅施主能级 .但O空位则在导带底 1 .3eV处产生深施主能级 .根据以上结果 ,证明了Zn填隙是引起ZnO本征n型导电性的主要原因

引用

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页数：8