半导体微腔物理及其应用附视频

被引:16
作者
郑厚植
机构
[1] 中国科学院半导体研究所!北京
关键词
微腔; 自发辐射; 自发发射; 极化激元; 激子峰; 激子跃迁; 色散关系; 泵浦速率; 光子数; 量子光学; 光场; 物理;
D O I
暂无
中图分类号
TN301 [基础理论];
学科分类号
070205 ;
摘要
半导体微腔物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域.本文就半导体微腔中自发辐射增强效应,腔极化激元与Rabi分裂,腔极化激元的色散关系,稳态与瞬态的光学性质,三维受限微腔和微腔激光器特性等作一概要介绍,力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象.
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共 1 条
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ELECTRON[P]. HASEGAWA SHIGERU.日本专利:JP2019176711A,2019-10-10