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半导体微腔物理及其应用附视频
被引:16
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
郑厚植
机构
:
[1]
中国科学院半导体研究所!北京
来源
:
半导体学报
|
1997年
/ 07期
关键词
:
微腔;
自发辐射;
自发发射;
极化激元;
激子峰;
激子跃迁;
色散关系;
泵浦速率;
光子数;
量子光学;
光场;
物理;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN301 [基础理论];
学科分类号
:
070205 ;
摘要
:
半导体微腔物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域.本文就半导体微腔中自发辐射增强效应,腔极化激元与Rabi分裂,腔极化激元的色散关系,稳态与瞬态的光学性质,三维受限微腔和微腔激光器特性等作一概要介绍,力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象.
引用
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页码:481 / 491
页数:11
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ELECTRON[P]. HASEGAWA SHIGERU.日本专利:JP2019176711A,2019-10-10
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