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掺杂TiO2对ZnO压敏电阻器的性能影响
被引:5
作者
:
韩述斌,吴德喜,范坤泰,张新,李玉玲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
山东工业大学
韩述斌,吴德喜,范坤泰,张新,李玉玲
机构
:
[1]
山东工业大学
来源
:
传感器技术
|
1996年
/ 03期
关键词
:
压微电阻器,TiO2添加剂,非线性系数,击穿电压;
D O I
:
10.13873/j.1000-97871996.03.006
中图分类号
:
TP212 [发送器(变换器)、传感器];
学科分类号
:
080202 ;
摘要
:
提出一种低压ZnO压敏电阻器的制造方法。研究了它的微观结构和导电机理。在五元配方的基础上加入TiO2,并用适当的工艺可制得性能优良的低压产品。
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页码:20 / 22
页数:3
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半导体陶瓷及其敏感元件[M]. 上海科学技术出版社 , 莫以豪 编著, 1983
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