极紫外投影光刻原理装置的集成研究

被引：4

作者：

金春水

马月英

裴舒

曹健林

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室长春

来源：

光学学报 | 2002年 / 07期

关键词：

极紫外; 极紫外投影光刻; 多层膜反射镜; Schwarzschild物镜;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

论述了光刻技术发展的历程、趋势和极紫外投影光刻技术的特性 ,并介绍了极紫外投影光刻原理装置的研制工作。该装置由激光等离子体光源、掠入射椭球聚光镜、透射掩模、施瓦茨微缩投影物镜及相应的真空系统组成。其工作波长为 13nm ,在直径为 0 1mm的像方视场内设计分辨率优于 0 1μm。

引用

页码：852 / 857

页数：6

共 5 条

[1]

Molybdenum/berylliummultilayermirrorsfornormaincidenceintheextremeultraviolet. SkulinaKM,AlfordCS,BiontaRMetal. Applied Optics . 1995

[2]

Recent results in the development of an integrated EUVL laboratory toll. Tichenor D A,Kubiak G D,Haney S J et al. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1995

[3]

Threeaspherical system for EUVL lithography. Kinoshita H,Watanable T,Niibe M et al. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1998

[4]

EUV optical design for a 100 nm CD imaging system. Sweeney D W,Hudyma R,Chapman H N et al. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1998

[5]

Multilayer mirror technology for soft X-ray projection lithography. Stearns D G,Rosen R S,Vernon S P. Applied Optics . 1993

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