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电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究附视频
被引：6
作者：
舒雄文
徐晨
田增霞
罗丹
沈光地
机构：
[1] 北京工业大学光电子技术实验室
来源：
关键词：
非晶硅(a-Si);
光谱椭偏仪;
折射率;
消光系数;
半导体激光器;
D O I：
10.16136/j.joel.2006.08.001
中图分类号：
TN304.05 [];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明,在300～1100nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a-Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3。
引用
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页码：905 / 908
页数：4
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