盐密和灰密对110kV复合绝缘子闪络电压的影响

被引：55

作者：

蒋兴良

陈爱军

张志劲

胡建林

孙才新

机构：

[1] 重庆大学电气工程学院高电压与电工新技术教育部重点实验室

来源：

中国电机工程学报 | 2006年 / 09期

基金：

国家自然科学基金重大研究计划;

关键词：

合成绝缘子; 污秽; 盐密; 灰密; 闪络电压;

D O I：

10.13334/j.0258-8013.pcsee.2006.09.028

中图分类号：

TM216 [绝缘子和套管];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

合成绝缘子具有很好的防污闪特性,但也会发生污秽闪络,这与常规的人工污秽试验仅考虑盐密的影响不无关系。文中选择110kV合成绝缘子为试品,在人工雾室中研究了灰密(NSDD)和盐密(ESDD)对合成绝缘子污闪特性的影响,分析了NSDD影响的原因,并采用2种方法对试验数据进行了分析和拟合。结果表明:人工污秽试验中,合成绝缘子污闪电压Uf与ESDD和NSDD均有关,但二者的影响是彼此独立的;随着ESDD或NSDD的增加,其Uf均按幂函数规律降低;ESDD和NSDD对Uf影响的特征指数分别为0.106、0.140,即对于合成绝缘子,灰密的影响大于盐密,这与瓷绝缘子相反;灰密对污闪电压影响的原因之一是吸收更多的水分,二是破坏合成绝缘子的憎水性。

引用

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页数：5

共 8 条

[1] 低气压下三种直流绝缘子覆冰闪络特性及其比较 [J].