超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析

被引：50

作者：

苏建修

康仁科

郭东明

机构：

[1] 大连理工大学机械工程学院

[2] 大连理工大学机械工程学院辽宁大连

[3] 辽宁大连

来源：

半导体技术 | 2003年 / 10期

基金：

国家自然科学基金重大项目;

关键词：

化学机械抛光; 材料去除机理; CMP系统过程变量;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2003.10.010

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。

引用

页码：27 / 32

页数：6

共 3 条

[1]

Three-dimensional wafer-scale copper chemical–mechanical planarization model.[J].Dipto G. Thakurta;Donald W. Schwendeman;Ronald J. Gutmann;Sadasivan Shankar;Lei Jiang;William N. Gill.Thin Solid Films.2002, 1

[2] Modeling of chemical-mechanical polishing with soft pads [J].

Shi, FG ;

Zhao, B .

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1998, 67 (02) :249-252

[3]

超大规模集成电路衬底材料性能及加工测试技术工程.[M].刘玉岭等编著;.冶金工业出版社.2002,

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