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单电子晶体管通断图及其分析
被引：9
作者：
吴凡
王太宏
机构：
[1] 中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所北京,北京
来源：
关键词：
单电子晶体管;
库仑阻塞;
隧穿;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN32 [半导体三极管（晶体管）];
学科分类号：
070208 [无线电物理];
摘要：
通过研究单电子晶体管在电路中的静电能量的变化 ,得到了它的阻塞、导通情况与其两端偏压和控制栅压之间的关系 ,从而给出了它的通断图 .并且发现单电子晶体管的对外特性主要由其对外的总电容决定 ;而单电子岛两个隧道结电容的不同主要反映在通断图上由隧道结电容所决定的晶体管阻塞、导通边界线上 ,这两条边界线同时也与外电路有关
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页码：2829 / 2835
页数：7
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