放电等离子烧结AlN陶瓷

被引：5

作者：

段成军

杨东升

贾春雷

王群

机构：

[1] 北京工业大学材料学院

[2] 北京工业大学材料学院北京

[3] 北京

来源：

硅酸盐学报 | 2003年 / 04期

关键词：

放电等离子烧结; 氮化铝; 陶瓷; 致密度;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.2003.04.014

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

研究了放电等离子烧结氮化铝陶瓷的过程。通过对比掺与不掺烧结助剂的氮化铝陶瓷的两种烧结过程 ,指出了烧结助剂在放电等离子烧结氮化铝陶瓷过程中的作用。利用放电等离子烧结技术烧结氮化铝 ,在加Y2 O3-Li2 O -CaF2 作为烧结助剂 ,170 0℃的烧结温度 ,2 5MPa的压力下 ,仅保温 5min ,得到相对密度为 97.3%的AlN陶瓷。SEM表明试样内部晶粒细小 ,结构均匀。实验表明 :放电等离子烧结技术可实现快速烧结

引用

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页数：4

共 6 条

[1] 氮化铝(AlN)陶瓷的特性、制备及应用 [J].