GaAs MESFET栅极漏电流退化机理分析

被引：4

作者：

费庆宇

黄云

机构：

[1] 信息产业部电子第五研究所!广东广州

来源：

电子产品可靠性与环境试验 | 2000年 / 04期

关键词：

漏电流; 肖特基势垒接触; 复合-产生中心;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386.3 [肖特基势垒栅场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

高温存储试验后某种ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴ的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理，测定了试验前后栅－漏极低压正向电流随温度的变化，定性估计了试验前后复合－产生中心浓度的变化，确定肖特基势垒接触有源层的复合－产生中心浓度增加是两种漏电流增大的原因，为高温下ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴ的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据。

引用

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