基质掺杂离子对（Y,Rn）2O2S∶Sm3+,Ti4+,Mg2+（Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al）红色长余辉材料余辉性能的影响

被引：3

作者：

张栌丹

王明文

刘世香

张飞飞

李文军

机构：

[1] 北京科技大学应用科学学院

来源：

北京科技大学学报 | 2008年 / 01期

关键词：

红色长余辉材料; 基质掺杂; 离子半径; 余辉时间;

D O I：

10.13374/j.issn1001-053x.2008.01.003

中图分类号：

TB34 [功能材料];

学科分类号：

080501 ;

摘要：

采用高温固相法制备了基质掺杂的（Y,Rn）2O2S∶Sm3+,Ti4+,Mg2+（Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al）红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3+半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.

引用

页码：49 / 52

页数：4

共 7 条

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