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受抑全内反射Q开关性能的研究
被引:4
作者
:
论文数:
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机构:
程向明
黄丽清
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0
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机构:
西安交通大学理学院光子研究所
黄丽清
论文数:
引用数:
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机构:
王详林
机构
:
[1]
西安交通大学理学院光子研究所
来源
:
激光杂志
|
1997年
/ 05期
关键词
:
受抑全内反射,耦合系数,单脉冲域,FTIR-Q开关;
D O I
:
10.14016/j.cnki.jgzz.1997.05.011
中图分类号
:
TN24 [激光技术、微波激射技术];
学科分类号
:
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要
:
本文从四能级结构激光速率方程出发,推导出了有关受抑全内反射调Q开关(FTIR Q)激光器的最佳输出耦合系数,给出了该开关单脉冲输出的条件,确定了FTIR-Q开关的最佳工作状态。
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