纳米非晶Si3N4粉的超高压低温烧结

被引：15

作者：

李亚利

梁勇

佟百运

郑丰

马贤峰

崔硕景

赵伟

机构：

[1] 中国科学院金属研究所微晶与激光加工研究室!沈阳市

[2] 中国科学院金属研究所

来源：

材料研究学报 | 1997年 / 05期

关键词：

纳米陶瓷; Si3N4; 非晶; 超高压; 烧结;

D O I：

暂无

中图分类号：

TF12 [粉末冶金（金属陶瓷工艺）];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

用六面顶超高压在1.0－5.0GPa，25～1500℃条件下烧结激光法制备的纳米非晶Si3N4粉，有“冷烧结”特代表现为：在5GPa，室温下压制的块体密度达理论值的93％，这是高压下纳米粒子产生流变的结果当烧结温度较低（800～950℃）时，高压烧结体为棕色透明的致密（98％）纳米非晶块体；烧结温度较高（1300～1500℃）时，形成纯白色致密纳米晶Si3N4块体，硬度为15.53～1605GPa研究表明，超高压烧结纳米陶瓷粉可显著降低烧结温度，控制晶粒生长，是获得致密纳米材料的有效途径

引用

页码：473 / 478

页数：6

共 5 条

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