静电放电和方波EMP对微电子器件的效应

被引：15

作者：

原青云 ^{[1
]}

武占成 ^{[1
]}

杨洁 ^{[1
]}

张希军 ^{[1
]}

薛田 ^{[2
]}

机构：

[1] 军械工程学院静电与电磁防护研究所

[2] 部队

来源：

高电压技术 | 2006年 / 06期

关键词：

微电子器件; 静电放电; 方波注入; 敏感端对; 人体模型;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2006.06.018

中图分类号：

TN322.6 [];

学科分类号：

摘要：

为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对是CB结;器件损伤时的灵敏参数是VBRCEO;又采用方波注入法对两晶体管进行实验比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP最敏感端对是CB结而非以往人们认为的EB结。

引用

页码：47 / 50

页数：4

共 5 条

[1] 静电放电电磁脉冲的实验研究 [J].

陈砚桥，刘尚合，武占成，谭志良 .

强激光与粒子束, 1999, (03) :104-107

[2] 我国电子行业ESD防治技术现状及对策 [J].

孙可平 ;

刘勇 .

上海海运学院学报, 1999, (01) :77-82

[3]

刘尚合主编.静电放电及危害防护[M].北京:北京邮电大学出版社,2004

[4]

高攸纲编著.电磁兼容总论[M].北京:北京邮电大学出版社,2001

[5]

刘尚合等编著.静电理论与防护[M].北京:兵器工业出版社,1999

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