发光二极管中负电容现象的机理

被引：3

作者：

冯列峰 ^{[1
]}

朱传云 ^{[2
]}

陈永 ^{[1
]}

曾志斌 ^{[1
]}

王存达 ^{[1
]}

机构：

[1] 天津大学应用物理学系

[2] 佛山科学技术学院光电子与物理学系

来源：

光电子·激光 | 2006年 / 01期

关键词：

发光二极管(LEDs); 负电容(NC); 连续性方程;

D O I：

10.16136/j.joel.2006.01.002

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

为解释发光二极管(LEDs)中的负电容(NC)现象,提出了在有源区与局部强复合效应有关的新模型,首次通过对载流子连续性方程的求解导出了NC的解析表达式。理论结果表明,在一定的范围内激活区载流子复合速率越大,LEDs中的NC效应越显著,这与实验结果完全一致。它表明,LEDs中的NC是由其激活区载流子复合引起的,而非外部原因造成。

引用

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