大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管(英文)

被引：3

作者：

方高瞻

肖建伟

马骁宇

冯小明

王晓薇

刘媛媛

刘斌

谭满清

蓝永生

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程中心,中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程中心,中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程中心,中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程中心,中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程中心,中国科学院半导体研究所国家光电

来源：

半导体学报 | 2002年 / 08期

关键词：

量子阱; 激光二极管; 波导;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312 [二极管：按结构和性能分];

学科分类号：

摘要：

设计与制作了大功率 80 8nm Al Ga As/ Ga As宽波导激光二极管 .器件的 Al0 .3 5Ga0 .65As波导厚度提高到0 .9μm,宽波导会引起高阶模的激射 .为了抑制高阶模 ,Al0 .55Ga0 .45As限制层厚度降低到 0 .7μm ,同时确保基横模的辐射损耗在 0 .2 cm- 1 以下 .采用 MOCVD进行材料生长 ,得到了高性能的器件 ,10 0 μm条形激光二极管的最大输出达 10 .2 W.

引用

页码：809 / 812

页数：4

共 4 条

[1]

8W CW power from broad-waveguide Al -free active region ( = 805nm ) diode lasers. Wade J K,Wawst L J,Botez D,et al. Electronics Letters . 1998

[2]

High-efficiency AlGaAs-based laser diode at 808nm with large transverse spot size. Emanuel M A,Carlson N W,Skidmore J A. IEEE Photonics Technology Letters . 1996

[3]

1W continuous wave front -facet power from Al -free active-region ( = 805nm )laser diodes. Wade J K,Wawst L J,Botez D,et al. Applied Physics Letters . 1998

[4]

High-power laser diodes at various wavelengths. Emanuel M A,Skidmore J A,Beach R J. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1998

← 1 →