射频磁控溅射沉积SiO2膜的研究

被引：21

作者：

刘艳红

郭宝海

马腾才

机构：

[1] 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

来源：

大连理工大学学报 | 1997年 / 02期

关键词：

沉积／射频磁控；溅射；SiO2膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

070307 [化学生物学];

摘要：

研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．

引用

页数：4