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极高速多元逻辑电路(DYL)线性“与或”门的研究
被引:18
作者:
王守觉
李致洁
刘训春
朱荣华
卢希尧
机构:
[1] 中国科学院半导体研究所
来源:
关键词:
DYL;
偏置;
JFET;
发射结;
发射极;
浅结工艺;
功耗延迟积;
D O I:
暂无
中图分类号:
学科分类号:
摘要:
本文对多元逻辑电路的主要基本单元线性“与或”门进行了进一步的分析和研究。提出了一种JFET偏置结构,推导了平均传播延迟的分析表达式,建立了晶体管增益与电路参数的关系方程,分析了电路在级联时低电平升高的物理原因。本研究工作采用泡发射极工艺。典型的平均级延迟为0.3ns,功耗延迟积为2.1pJ。实验结果表明,多元逻辑电路是一种有前途的极高速双极型电路。
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