半导体器件热特性的电学法测量与分析

被引：57

作者：

冯士维

谢雪松

吕长志

张小玲

何焱

沈光地

机构：

[1] 北京工业大学电子工程系

来源：

半导体学报 | 1999年 / 05期

关键词：

半导体器件; 热特性; 平均温度; 电子设备; 热力学性质; 电学法; 热传导; 热阻; 温度场; 分布(力学); 温度分布; 测量器件; 热不均匀性; 热工测量; 热阻测量;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN307 [测量和检验];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具．本文利用电学法测量了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在等功率下，加热响应曲线随电压的变化，并通过红外热像仪测量其温度分布，结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系．理论计算也表明了这一点．在等功率条件下，电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少．该方法可用来判断器件的热不均匀性．

引用

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