MOS电阻阵的非均匀性测量及补偿方法研究

被引:12
作者
张凯
黄勇
孙力
阎杰
机构
[1] 西北工业大学航天学院
关键词
MOS电阻阵; 非均匀性补偿; 红外场景生成器;
D O I
暂无
中图分类号
TM54 [电阻器、电位器];
学科分类号
080801 ;
摘要
红外MOS电阻阵列是现代红外成像仿真系统中的关键元件。由于MOS电阻阵具有较强的热非均匀性,因此在进行红外仿真时必须对其进行实时补偿。文中对基于MOS电阻阵的关键技术——MOS电阻阵帧元非均匀性补偿技术进行深入探讨和研究,并提出了相应的解决方案:通过离线测试,实测得到每一帧元的电压温度特性曲线,建立电压温度补偿数据表格,使得驱动MOS热电阻面阵的灰度数据与表格数据相匹配,从而实现对MOS电阻阵的修正。实验证明,文中提出的方法能够很好地解决对MOS电阻阵非均匀特性进行补偿的问题,并已在基于MOS电阻阵的红外场景生成器中应用,取得了满意的效果。
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共 2 条
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