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2011年国际光学工程学会先进光刻技术会议在美国召开附视频
被引：1
作者：
有机纳米光子学课题组
机构：
[1] 中国科学院理化技术研究所
来源：
关键词：
光刻技术;
光学工程;
圣何塞;
会议;
芯片产业;
最小特征尺寸;
美国;
美利坚合众国;
北美洲;
D O I：
暂无
中图分类号：
F416.6-2 [];
学科分类号：
020205 ;
0202 ;
摘要：
<正>2011年国际光学工程学会先进光刻技术会议于2月27日—3月3日在美国硅谷城市圣何塞市(San Jose)召开.来自中国、日本、韩国、比利时、英国、法国、新加坡、澳大利亚、德国、美国、印度、以色列、香港、台湾等21国家和地区近1400名专家学者和研发人员参加了本次会议.
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