钴离子配位分子印迹聚合物膜渗透特性的研究

被引：14

作者：

马向霞

李文友

何锡文

张玉奎

机构：

[1] 南开大学化学系吸附分离功能高分子材料国家重点实验室

来源：

化学学报 | 2005年 / 18期

基金：

天津市自然科学基金;

关键词：

分子印迹技术; 分子印迹膜; 膜渗透; 2,2'-联吡啶; 钴;

D O I：

暂无

中图分类号：

O631 [高分子物理和高分子物理化学];

学科分类号：

摘要：

采用分子印迹技术紫外光引发原位聚合的方法制备了带支撑膜的钴离子配位分子印迹聚合物膜.用扫描电镜测定了膜的表面形貌.通过膜渗透实验表明,在一定浓度钴离子存在下,印迹膜对模板分子表现出良好的渗透选择性.分别考察了阳离子和阴离子对印迹膜渗透模板分子的影响.本工作有助于分子印迹技术应用于传感器技术和连续分离技术的研究.

引用

页码：1681 / 1685+1637 +1637

页数：6

共 6 条

[1] 邻香草醛分子印迹聚合物膜的制备及其透过选择性质的研究 [J].