Si注入热生长SiO的光致发光激发谱与光电子能谱

被引：4

作者：

宋海智

鲍希茂

机构：

[1] 南京大学物理系!南京

来源：

半导体学报 | 1997年 / 11期

关键词：

发光带; SiO2; 光致发光; 光电子能谱; 光电发射能谱; Si; 红光带; 激发谱; 退火处理;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

Si+注入的热生长SiO2，未退火及1000℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在470nm的蓝光带，其光致发光激发谱主要为一个位于250nm的窄峰，且谱形不依赖于退火条件，光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的SiOx；1000℃以上退火样品的发光谱为峰值在730nm的红光带，其激发谱有一个230nm的窄峰，同时在500nm附近还有一个随退火处理不断红移和增强的宽带，光电子能谱表明退火使样品注入层分离为SiO2和纳米硅晶粒两相．本文对两种发光带的复合过程、光吸收过程及其与微结构的关系进行了讨论．

引用

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