气压烧结SiCp/Si3N4基复合材料的研究

被引：6

作者：

陈源

黄莉萍

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所

[2] 中国科学院上海硅酸盐研究所上海

[3] 上海

来源：

硅酸盐学报 | 1993年 / 01期

关键词：

碳化硅; 氮化硅; 复合材料; 显微结构; 晶界;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.1993.01.002

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

研究了添加Al2O3和CeO2的气压烧结SiCp/Si3N4复合材料的性能和显微结构之间的关系,详细探讨了SiC颗粒含量对SiCP/Si3N4材料抗折强度、断裂韧性、Rock well硬度和显微结构的影响。结果表明:SiCp的加入抑制了β-Si3N4晶粒的生长。复合材料中SiC-SiC晶界面完全不同于SiC—Si3N4晶界面。当SiCp质量含量为30％时,抗折强度值和Rock well硬度值达最大值,分别为840MPA和93.8,断裂韧性则为5.8aMPa·m1/2。

引用

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