未找到相关数据
合成绝缘子的离子迁移试验研究(Ⅰ)
被引：5
作者：
陈原
关志成
汤存燕
梁曦东
机构：
[1] 华北电力科学研究院,清华大学
来源：
关键词：
合成绝缘子,离子迁移,故障率,老化试验;
D O I：
10.16308/j.cnki.issn1003-9171.1998.02.004
中图分类号：
TM216 [绝缘子和套管];
学科分类号：
摘要：
离子迁移是直流电场下传统的瓷和玻璃绝缘子出现高故障率的主要原因之一。通过对几个具有代表性的厂家生产的合成绝缘子进行的长期离子迁移老化试验，结果表明：离子迁移对直流合成绝缘子的安全运行不构成威胁。
引用
收藏
页码：17 / 21+26
页数：6
相关论文