邻菲口罗啉化学修饰碳糊电极三元络合物体系测定痕量钴

被引：4

作者：

黄杉生

许岩

程翼达

机构：

[1] 湖南大学化学化工学院

来源：

湖南大学学报(自然科学版) | 1998年 / 05期

基金：

湖南省自然科学基金;

关键词：

化学修饰碳糊电极，三元络合物，溶出伏安法;

D O I：

暂无

中图分类号：

O657.1 [电化学分析法];

学科分类号：

070302 ; 081704 ;

摘要：

制备了邻菲口罗啉化学修饰碳糊电极，在含噻吩甲酰三氟丙酮的ＨＡｃ－ＮａＡｃ体系中，Ｃｏ（Ⅱ）离子经化学富集在电极表面上形成三元络合物．采用２．５次微分伏安法测定痕量Ｃｏ（Ⅱ）离子．Ｃｏ（Ⅱ）浓度在８．０×１０－９～７．０×１０－７ｍｏｌ·Ｌ－１范围内与阳极溶出峰峰高成良好的线性关系，检出限达１．２×１０－９ｍｏｌ·Ｌ－１．电极用于水样中钴的测定，结果令人满意．

引用

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