飞秒激光作用下单晶硅的吸收系数和烧蚀阈值

被引：1

作者：

彭爱莲

彭玉峰

张永涛

李阔湖

陈靖

机构：

[1] 河南师范大学物理与信息工程学院

来源：

河南师范大学学报(自然科学版) | 2006年 / 02期

关键词：

飞秒激光; 双光子吸收; 吸收系数; 烧蚀阈值;

D O I：

10.16366/j.cnki.1000-2367.2006.02.011

中图分类号：

TN304.12 [];

学科分类号：

摘要：

理论计算飞秒脉冲激光作用下,单晶硅的吸收系数和烧蚀阈值.当激光强度范围在1013～1014W/cm2之间时,详细分析了2个光子的吸收在等离子体形成过程中产生的重要作用,发现当等离子体数密度超过传统意义上的临界密度时,须采用薄膜光学的几何矩阵方法来计算单晶硅表面的吸收系数.在此基础上,依照材料的静电烧蚀机制计算单晶硅的烧蚀阈值,结果和实验数据符合的较好.

引用

页码：42 / 45

页数：4