InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

被引：4

作者：

李为军 ^{[1
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张波 ^{[1
]}

徐文兰 ^{[2
]}

陆卫 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室

[2] 华东师范大学信息科学技术学院

来源：

物理学报 | 2009年 / 58卷 / 05期

关键词：

InGaN/GaN; 发光二极管; 数值模拟; 量子点模型;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471.1 [半导体量子理论];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,量子点模型的引入,很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时,在I-V曲线特性模拟中发现,在量子点理论模型的基础上,只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应,才能得到和实验相接近的I-V曲线,揭示着在InGaN/GaN多量子阱发光二极管电输运特性中,载流子的非平衡量子传输效应扮演重要角色.

引用

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