高占空比大功率半导体激光线阵热特性分析

被引：6

作者：

胡黎明 ^{[1
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李再金 ^{[1
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秦莉 ^{[1
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杨晔 ^{[1
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王烨 ^{[1
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刘云 ^{[1
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王立军 ^{[1
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机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态开放实验室

[2] 中国科学院研究生院

来源：

光学学报 | 2010年 / 30卷 / 04期

关键词：

激光器; 半导体激光列阵(LDA); 温度分布; 有限元法; 高占空比;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

针对微通道热沉封装半导体激光列阵(LDA)建立三维有限元热分析模型,对其在20%高占空比工作时的瞬态和稳态温度分布进行模拟分析。模拟结果表明加电流后的几十微秒内有源区温度缓慢上升,此后相邻发光单元之间发生热交叠,温度快速上升,最后由于热弛豫积累效应达到热平衡;稳态时有源区温度分布呈现与器件结构一致的周期性,各发光单元温度分布一致,温升集中在有源层电极区内,绝缘区温升快速减小,出光面温度较高,180 A电流下工作时沿腔长方向最大存在3 K的温差。试验测试不同电流下工作时的输出特性,得到器件的有源区温升及稳态热阻与模拟结果基本吻合。

引用

页码：1055 / 1060

页数：6

共 4 条

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