射频等离子体自偏压及其对聚合成膜的影响

被引：5

作者：

庞华

葛袁静

张跃飞

张广秋

机构：

[1] 北京印刷学院等离子体科学及材料实验室

[2] 北京印刷学院等离子体科学及材料实验室北京

[3] 北京

来源：

关键词：

射频等离子体; 自偏压; 电子温度; 电子密度; 等离子体聚合;

D O I：

10.19461/j.cnki.1004-8626.2003.04.005

中图分类号：

O531 [产生];

学科分类号：

070204 ;

摘要：

通过实验分析了射频等离子体自偏压的产生及与电子密度、电子温度的关系和对聚合成膜质量的影响并探讨了其机制,指出产生自偏压可明显改善等离子体聚合成膜质量,这是由于自偏压提高了等离子体中电子温度和电子密度的结果。在直接利用等离子体进行聚合反应制备薄膜时,应根据装置条件选择合适的自偏压值。

引用

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页数：5

共 5 条

[1]

工业等离子体工程.[M].(美)J.R.罗思(J.R.Roth)著;吴坚强等译;.科学出版社.1998,

[2]

等离子体化学与工艺.[M].赵化侨编著;.中国科学技术大学出版社.1993,

[3] 射频自偏压在等离子体工艺中的作用 [J].

冯玉国 ;

张本义 ;

张华 .

[4] 射频辉光放电中的自生负偏压 [J].

冯玉国 ;

张本义 .

[5]

On the Mechanism of Deposition of Hard a-C∶H Films by RF-Plasma Decomposition of Hydrocarbons..Wendler B;.Vacuum.1986,