CVD反应器传输过程的三维数学模型

被引：12

作者：

贺友多

Y.SAHAI

机构：

[1] 包头市包头钢铁学院冶金系,美国俄亥俄州立大学教授,内蒙古

来源：

关键词：

CVD反应器; 速度场; 温度场; 浓度场; 硅的沉积速率;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

提出了一个同时表示CVD过程的气体流动、温度分布和物质传输的三维数学模型。应用这个模型预报了在含有SiCl4的氢气流中沉积出Si的锥台式反应器中的速度场、温度场和浓度场。所得的结果有助于增进对这类反应器中的传输过程的认识,模型亦可用于设计参数的最优化,诸如入口流量,锥台倾角等。

引用

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