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合成绝缘子憎水性迁移机理的研究
被引:15
作者
:
关志成
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
清华大学
关志成
论文数:
引用数:
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机构:
陈原
论文数:
引用数:
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机构:
梁曦东
张仁豫
论文数:
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引用数:
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机构:
清华大学
张仁豫
机构
:
[1]
清华大学
来源
:
高电压技术
|
1998年
/ 02期
关键词
:
合成绝缘子,憎水性,迁移,挥发性;
D O I
:
10.13336/j.1003-6520.hve.1998.02.004
中图分类号
:
TM216 [绝缘子和套管];
学科分类号
:
0805 ;
080502 ;
080801 ;
摘要
:
硅橡胶合成绝缘子的优良耐污闪性能源于硅橡胶材料的憎水性的迁移性。本文实验验证了硅橡胶材料中的小分子聚合物是通过挥发作用使绝缘子表面污层获得憎水性的。这一发现使合成绝缘子的憎水性迁移机理更趋于完善。
引用
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页码:13 / 15+18
页数:4
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