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特高压SF气体绝缘套管内屏蔽结构研究
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彭宗仁
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刘鹏
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机构: 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
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[1] 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
来源:
基金:
国家高技术研究发展计划(863计划);
关键词:
特高压;
SF6气体绝缘套管;
内屏蔽结构;
表面电场强度;
局放起始电场强度;
结构设计;
D O I:
10.13336/j.1003-6520.hve.2015.11.030
中图分类号:
TM216.5 [];
学科分类号:
0805 ;
080502 ;
080801 ;
摘要:
为了研究特高压SF6气体绝缘套管内屏蔽结构的电场分布特性并制定合理的结构设计方案,通过对特高压SF6气体绝缘套管进行有限元电场分析,研究了边缘效应和结构参数对内屏蔽电极表面电场的影响。在此基础上,针对仅通过控制电极表面电场进行内屏蔽结构设计的局限性,研究了SF6局放起始电场强度对内屏蔽结构设计的影响。结果表明:内屏蔽电极边缘外形对电极边缘电场强度影响较大,而对电极中部电场强度影响较小,因此进行内屏蔽结构设计需要考虑边缘效应对电极表面电场的影响,将边缘外形设计和电极尺寸设计分开进行;此外,边缘外形对边缘SF6局放起始电场强度影响较大,在进行边缘外形设计时需要综合考虑表面电场强度和局放起始电场强度的影响。
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彭宗仁
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西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室

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