石墨层间化合物GICs的形成机理探讨

被引:28
作者
传秀云
机构
[1] 北京大学地质学系!北京
基金
中国博士后科学基金;
关键词
石墨层间化合物; 插层反应; 机理;
D O I
暂无
中图分类号
O613.71 [碳C];
学科分类号
摘要
将 GICs形成过程划分为熔融、活化、扩散和成键等阶段 ,分析了各阶段反应的主要影响因素 ,以氯化铜、氯化镍 GICs的合成实验为基础 ,根据 SEM对石墨膨胀前后、插层前后的形貌分析 ,以及膨胀石墨合成 GICs反应前后体积变化分析 ,认为 GICs的形成过程中 ,主要有三个机制起作用 :氯化物扩散机制、氯化物和碳原子层之间离子键牵引机制和石墨碳原子层分子键牵引回复机制。在膨胀石墨 GICs的合成过程中 ,除占主导地位的扩散机制外 ,还存在化学键牵引机制 ,主要包括碳原子间分子键牵引和碳原子氯化物之间的离子键牵引。
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共 2 条
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