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低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究
被引：2
作者：
章天金
周东祥
龚树萍
机构：
[1] 华中理工大学电子科学与技术系
来源：
关键词：
低压氧化锌压敏陶瓷，复电容，压低角，电子陷阱;
D O I：
10.14062/j.issn.0454-5648.1999.03.008
中图分类号：
TN304.82 [];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因并对电子陷阱的特征参数进行了表征．实验发现：在低压ＺｎＯ压敏陶瓷中存在两种非理想的Ｄｅｂｙｅ弛豫现象，对于每一种弛豫，其复电容曲线存在压低现象，且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小．在低压ＺｎＯ压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱，它们分别位于导带底０．２０９和０．３４２ｅＶ处，其中０．２０９ｅＶ处的陷阱能级对应于本征施主Ｚｎ×ｉ的二次电离，而０．３４２ｅＶ处的陷阱能级对应于氧空位ＶＯ的一次电离．
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