掺杂β-C2S的正电子湮没和水化研究

用正电子湮没技术（PAT）研究了掺Na2O和P2O5的β-C2S正电子寿命谱。按照正电子捕获理论对实验所得的寿命谱参数与硅酸二钙微观结构的关系进行了讨论。结果表明,长寿命成分τ2（约470ps）相当于钙空位缺陷对正电子的捕获。长寿命成分τ2的强度I2随Na+掺量增加而减小,随P5+掺且增加而增加。证实Na+进入Ca的位置并产生阴离子空位,而P5+进入Si4+的位置并产生Ca2+空位;随Na+或P5+掺量增加,阴离子空位或Ca2+空位浓度增加。实验表明,正电子湮没技术是研究掺杂β-C2S微观结构缺陷的一种有效手段。 本文还就硅酸二钙烧成和水化活性与掺杂的关系进行了研究和讨论。